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codice articolo del costruttore | IPP120N04S401AKSA1 |
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Numero di parte futuro | FT-IPP120N04S401AKSA1 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | OptiMOS™ |
IPP120N04S401AKSA1 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 40V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 120A (Tc) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.9 mOhm @ 100A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 140µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 176nC @ 10V |
Vgs (massimo) | ±20V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 14000pF @ 25V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 188W (Tc) |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto dispositivo fornitore | PG-TO220-3-1 |
Pacchetto / caso | TO-220-3 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IPP120N04S401AKSA1 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | IPP120N04S401AKSA1-FT |
BUZ31L H
Infineon Technologies
BUZ32
Infineon Technologies
BUZ73
Infineon Technologies
BUZ73A
Infineon Technologies
BUZ73A H
Infineon Technologies
BUZ73A H3046
Infineon Technologies
BUZ73AE3046XK
Infineon Technologies
BUZ73AL
Infineon Technologies
BUZ73ALHXKSA1
Infineon Technologies
BUZ73E3046XK
Infineon Technologies
LFXP6E-3TN144C
Lattice Semiconductor Corporation
EX64-TQG100I
Microsemi Corporation
XCV1000E-8FG900C
Xilinx Inc.
A3P400-1FGG484I
Microsemi Corporation
A3P600-1FG256I
Microsemi Corporation
EP3SE50F484I3
Intel
EP2AGX125DF25C5N
Intel
5SGXMA7N2F45I2N
Intel
5SGXMA5H2F35C2LN
Intel
EP3SL150F780C4
Intel