casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / IPP50R399CPXKSA1
codice articolo del costruttore | IPP50R399CPXKSA1 |
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Numero di parte futuro | FT-IPP50R399CPXKSA1 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | CoolMOS™ |
IPP50R399CPXKSA1 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Not For New Designs |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 500V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 9A (Ta) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 399 mOhm @ 4.9A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 3.5V @ 330µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 4nC @ 10V |
Vgs (massimo) | ±20V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 890pF @ 100V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 83W (Tc) |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto dispositivo fornitore | PG-TO220-3 |
Pacchetto / caso | TO-220-3 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IPP50R399CPXKSA1 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | IPP50R399CPXKSA1-FT |
IPP06CN10N G
Infineon Technologies
IPP06CN10NGXKSA1
Infineon Technologies
IPP06CNE8N G
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IPP06N03LA
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IPP070N06L G
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IPP070N06N G
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IPP070N08N3 G
Infineon Technologies
IPP072N10N3GHKSA1
Infineon Technologies
IPP075N15N3GHKSA1
Infineon Technologies
IPP07N03LB G
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