casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / IPP070N06L G
codice articolo del costruttore | IPP070N06L G |
---|---|
Numero di parte futuro | FT-IPP070N06L G |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | OptiMOS™ |
IPP070N06L G Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 60V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 80A (Tc) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 4.5V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 7 mOhm @ 80A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2V @ 150µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 126nC @ 10V |
Vgs (massimo) | ±20V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 4300pF @ 30V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 214W (Tc) |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto dispositivo fornitore | PG-TO220-3 |
Pacchetto / caso | TO-220-3 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IPP070N06L G Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | IPP070N06L G-FT |
IPP034NE7N3GXKSA1
Infineon Technologies
IPP12CN10LGXKSA1
Infineon Technologies
IPP055N03LGXKSA1
Infineon Technologies
IPP114N12N3GXKSA1
Infineon Technologies
IPP60R090CFD7XKSA1
Infineon Technologies
IPP076N12N3GXKSA1
Infineon Technologies
IPP029N06NAKSA1
Infineon Technologies
IPP052N08N5AKSA1
Infineon Technologies
IPP100N08N3GXKSA1
Infineon Technologies
IPP65R225C7XKSA1
Infineon Technologies
A3PE600-2FGG484I
Microsemi Corporation
M1A3P600-2PQ208
Microsemi Corporation
LFE3-35EA-8LFTN256C
Lattice Semiconductor Corporation
AGLN060V5-ZVQ100
Microsemi Corporation
10M25DAF256C7G
Intel
EP3SE260F1152I3
Intel
LCMXO640C-4M100C
Lattice Semiconductor Corporation
EP3SE110F780C2
Intel
10AX048E2F29I1HG
Intel
EP20K60EQC208-1
Intel