casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / IPP075N15N3GHKSA1
codice articolo del costruttore | IPP075N15N3GHKSA1 |
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Numero di parte futuro | FT-IPP075N15N3GHKSA1 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | OptiMOS™ |
IPP075N15N3GHKSA1 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 150V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 100A (Tc) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 8V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 7.5 mOhm @ 100A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 270µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 93nC @ 10V |
Vgs (massimo) | ±20V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 5470pF @ 75V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 300W (Tc) |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto dispositivo fornitore | PG-TO220-3 |
Pacchetto / caso | TO-220-3 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IPP075N15N3GHKSA1 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | IPP075N15N3GHKSA1-FT |
IPP60R090CFD7XKSA1
Infineon Technologies
IPP076N12N3GXKSA1
Infineon Technologies
IPP029N06NAKSA1
Infineon Technologies
IPP052N08N5AKSA1
Infineon Technologies
IPP100N08N3GXKSA1
Infineon Technologies
IPP65R225C7XKSA1
Infineon Technologies
IPP052N06L3GXKSA1
Infineon Technologies
SPP21N50C3XKSA1
Infineon Technologies
IPP16CN10NGXKSA1
Infineon Technologies
IPP023N04NGXKSA1
Infineon Technologies
LCMXO256C-4T100I
Lattice Semiconductor Corporation
A54SX32A-FGG484
Microsemi Corporation
XC2V1500-6BGG575C
Xilinx Inc.
XC7K355T-1FFG901I
Xilinx Inc.
XC5VTX150T-1FFG1156I
Xilinx Inc.
LFXP3E-5QN208C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2-4000HE-6MG184C
Lattice Semiconductor Corporation
LFE3-95EA-6LFN484C
Lattice Semiconductor Corporation
10AX090N2F45I2SG
Intel
EP2AGX190EF29I5
Intel