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Infineon Technologies IPP065N06LGAKSA1

Numero parte MFG
IPP065N06LGAKSA1
quantità disponibile
52340 pezzi
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fabbricante
Infineon Technologies
Breve descrizione
OptiMOS™ MOSFET N-CH 60V 80A TO-220
Stato senza piombo / Stato RoHS
Conformità RoHS (senza piombo)
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
1 (illimitato)
Codice data (D / C)
Nuovo
categoria di prodotto
Transistor - FET, MOSFETs - Single
Risorsa stock
Distributore in franchising
Garanzia
360 giorni di garanzia di qualità
scheda dati
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IPP065N06LGAKSA1 specificazioni

codice articolo del costruttore IPP065N06LGAKSA1
Numero di parte futuro FT-IPP065N06LGAKSA1
SPQ / MOQ Contattaci
Materiale di imballaggio Reel/Tray/Tube/Others
serie OptiMOS™
IPP065N06LGAKSA1 Stato (ciclo di vita) Disponibile
Stato parte Obsolete
Tipo FET N-Channel
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) 60V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 80A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) 4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 6.5 mOhm @ 80A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 2V @ 180µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 157nC @ 10V
Vgs (massimo) ±20V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 5100pF @ 30V
Caratteristica FET -
Dissipazione di potenza (max) 250W (Tc)
temperatura di esercizio -55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo di montaggio Through Hole
Pacchetto dispositivo fornitore PG-TO220-3-1
Pacchetto / caso TO-220-3
Paese d'origine USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
IPP065N06LGAKSA1 Peso Contattaci
Numero parte di ricambio IPP065N06LGAKSA1-FT

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