casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / IPP16CN10LGXKSA1
codice articolo del costruttore | IPP16CN10LGXKSA1 |
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Numero di parte futuro | FT-IPP16CN10LGXKSA1 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | OptiMOS™ |
IPP16CN10LGXKSA1 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 100V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 54A (Tc) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 15.7 mOhm @ 54A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2.4V @ 61µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 44nC @ 10V |
Vgs (massimo) | ±20V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 4190pF @ 50V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 100W (Tc) |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto dispositivo fornitore | PG-TO220-3 |
Pacchetto / caso | TO-220-3 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IPP16CN10LGXKSA1 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | IPP16CN10LGXKSA1-FT |
IPP030N10N3GXKSA1
Infineon Technologies
IPP032N06N3GHKSA1
Infineon Technologies
IPP034N03LGHKSA1
Infineon Technologies
IPP034N08N5AKSA1
Infineon Technologies
IPP037N08N3GE8181XKSA1
Infineon Technologies
IPP037N08N3GHKSA1
Infineon Technologies
IPP039N04LGHKSA1
Infineon Technologies
IPP039N10N5AKSA1
Infineon Technologies
IPP03N03LA
Infineon Technologies
IPP03N03LB G
Infineon Technologies
XA3S500E-4FTG256I
Xilinx Inc.
XA6SLX25T-3FGG484Q
Xilinx Inc.
A54SX32A-FGG484
Microsemi Corporation
APA300-BGG456M
Microsemi Corporation
A54SX16A-FGG256I
Microsemi Corporation
AT40K20-2AQC
Microchip Technology
EP2S30F672C4
Intel
10M40DCF672C7G
Intel
A42MX16-3PQ100
Microsemi Corporation
EP4CGX22CF19C6N
Intel