casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / BUZ73E3046XK
codice articolo del costruttore | BUZ73E3046XK |
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Numero di parte futuro | FT-BUZ73E3046XK |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | SIPMOS® |
BUZ73E3046XK Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Discontinued at Future Semiconductor |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 200V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 7A (Tc) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 400 mOhm @ 4.5A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 1mA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | - |
Vgs (massimo) | ±20V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 530pF @ 25V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 40W (Tc) |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto dispositivo fornitore | PG-TO220-3 |
Pacchetto / caso | TO-220-3 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BUZ73E3046XK Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | BUZ73E3046XK-FT |
IPP50R280CEXKSA1
Infineon Technologies
SPP18P06PHXKSA1
Infineon Technologies
IPP110N20NAAKSA1
Infineon Technologies
IPP020N08N5AKSA1
Infineon Technologies
IPP023NE7N3GXKSA1
Infineon Technologies
SPP17N80C3XKSA1
Infineon Technologies
IPP50R140CPXKSA1
Infineon Technologies
IPP041N12N3GXKSA1
Infineon Technologies
IPP057N06N3GXKSA1
Infineon Technologies
IPP50N10S3L16AKSA1
Infineon Technologies
XC3S50A-4TQ144I
Xilinx Inc.
M1A3P400-FGG256
Microsemi Corporation
M1A3P250-2PQG208
Microsemi Corporation
EP3C40F484C7N
Intel
10M40SAE144I7G
Intel
5SGXEBBR1H43C2LN
Intel
LCMXO2-7000HE-4FG484C
Lattice Semiconductor Corporation
5CGXFC9C6F23I7N
Intel
EP20K200CB356C9
Intel
EPF8820AQC208-4AA
Intel