casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / BUZ73H3046XKSA1
codice articolo del costruttore | BUZ73H3046XKSA1 |
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Numero di parte futuro | FT-BUZ73H3046XKSA1 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | SIPMOS® |
BUZ73H3046XKSA1 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 200V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 7A (Tc) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 400 mOhm @ 4.5A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 1mA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | - |
Vgs (massimo) | ±20V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 530pF @ 25V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 40W (Tc) |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto dispositivo fornitore | PG-TO220-3 |
Pacchetto / caso | TO-220-3 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BUZ73H3046XKSA1 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | BUZ73H3046XKSA1-FT |
SPP18P06PHXKSA1
Infineon Technologies
IPP110N20NAAKSA1
Infineon Technologies
IPP020N08N5AKSA1
Infineon Technologies
IPP023NE7N3GXKSA1
Infineon Technologies
SPP17N80C3XKSA1
Infineon Technologies
IPP50R140CPXKSA1
Infineon Technologies
IPP041N12N3GXKSA1
Infineon Technologies
IPP057N06N3GXKSA1
Infineon Technologies
IPP50N10S3L16AKSA1
Infineon Technologies
IPP020N06NAKSA1
Infineon Technologies
XC3S200A-4FT256I
Xilinx Inc.
XC3S2000-4FG456C
Xilinx Inc.
A42MX09-VQ100I
Microsemi Corporation
AGL030V5-VQ100I
Microsemi Corporation
EP2C50F672I8
Intel
XC6SLX4-2CSG225I
Xilinx Inc.
AGL600V2-CSG281
Microsemi Corporation
LFXP6C-3Q208C
Lattice Semiconductor Corporation
LFXP2-40E-6F484I
Lattice Semiconductor Corporation
EP3SL50F780C4
Intel