casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / BUZ73H3046XKSA1
codice articolo del costruttore | BUZ73H3046XKSA1 |
---|---|
Numero di parte futuro | FT-BUZ73H3046XKSA1 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | SIPMOS® |
BUZ73H3046XKSA1 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 200V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 7A (Tc) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 400 mOhm @ 4.5A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 1mA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | - |
Vgs (massimo) | ±20V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 530pF @ 25V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 40W (Tc) |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto dispositivo fornitore | PG-TO220-3 |
Pacchetto / caso | TO-220-3 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BUZ73H3046XKSA1 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | BUZ73H3046XKSA1-FT |
SPP18P06PHXKSA1
Infineon Technologies
IPP110N20NAAKSA1
Infineon Technologies
IPP020N08N5AKSA1
Infineon Technologies
IPP023NE7N3GXKSA1
Infineon Technologies
SPP17N80C3XKSA1
Infineon Technologies
IPP50R140CPXKSA1
Infineon Technologies
IPP041N12N3GXKSA1
Infineon Technologies
IPP057N06N3GXKSA1
Infineon Technologies
IPP50N10S3L16AKSA1
Infineon Technologies
IPP020N06NAKSA1
Infineon Technologies
A3P1000L-FG484
Microsemi Corporation
M1A3P600L-FGG484
Microsemi Corporation
A54SX32A-CQ256B
Microsemi Corporation
5SEEBF45C3N
Intel
5SGXEABN2F45I2N
Intel
XC6SLX45-N3CSG324C
Xilinx Inc.
XC6SLX45T-N3CSG324C
Xilinx Inc.
LFE2M20SE-7F484C
Lattice Semiconductor Corporation
10AX090N4F40I3LG
Intel
EP2C20Q240C8N
Intel