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codice articolo del costruttore | IPP100N06S3L-04 |
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Numero di parte futuro | FT-IPP100N06S3L-04 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | OptiMOS™ |
IPP100N06S3L-04 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 55V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 100A (Tc) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 5V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 3.8 mOhm @ 80A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2.2V @ 150µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 362nC @ 10V |
Vgs (massimo) | ±16V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 17270pF @ 25V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 214W (Tc) |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto dispositivo fornitore | PG-TO220-3-1 |
Pacchetto / caso | TO-220-3 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IPP100N06S3L-04 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | IPP100N06S3L-04-FT |
BTS115ANKSA1
Infineon Technologies
BTS121ANKSA1
Infineon Technologies
BUZ30A
Infineon Technologies
BUZ31
Infineon Technologies
BUZ31 E3046
Infineon Technologies
BUZ31HXKSA1
Infineon Technologies
BUZ31L
Infineon Technologies
BUZ31L E3044A
Infineon Technologies
BUZ31L H
Infineon Technologies
BUZ32
Infineon Technologies
AT40K40AL-1BQI
Microchip Technology
XC4005XL-3PQ100C
Xilinx Inc.
APA600-BG456I
Microsemi Corporation
A42MX36-1PQG208I
Microsemi Corporation
EP2S15F484C3
Intel
EP1S10F484C7N
Intel
EP1K30FC256-2
Intel
EP2AGX45DF25I5
Intel
LFE2M70SE-6F900I
Lattice Semiconductor Corporation
LFXP2-5E-7M132C
Lattice Semiconductor Corporation