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Infineon Technologies IPP04CN10NG

Numero parte MFG
IPP04CN10NG
quantità disponibile
76860 pezzi
Prezzo di riferimento
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fabbricante
Infineon Technologies
Breve descrizione
OptiMOS™ MOSFET N-CH 100V 100A TO220-3
Stato senza piombo / Stato RoHS
Conformità RoHS (senza piombo)
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
1 (illimitato)
Codice data (D / C)
Nuovo
categoria di prodotto
Transistor - FET, MOSFETs - Single
Risorsa stock
Distributore in franchising
Garanzia
360 giorni di garanzia di qualità
scheda dati
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IPP04CN10NG specificazioni

codice articolo del costruttore IPP04CN10NG
Numero di parte futuro FT-IPP04CN10NG
SPQ / MOQ Contattaci
Materiale di imballaggio Reel/Tray/Tube/Others
serie OptiMOS™
IPP04CN10NG Stato (ciclo di vita) Disponibile
Stato parte Obsolete
Tipo FET N-Channel
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) 100V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 100A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 4.2 mOhm @ 100A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 210nC @ 10V
Vgs (massimo) ±20V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 13800pF @ 50V
Caratteristica FET -
Dissipazione di potenza (max) 300W (Tc)
temperatura di esercizio -55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo di montaggio Through Hole
Pacchetto dispositivo fornitore PG-TO220-3
Pacchetto / caso TO-220-3
Paese d'origine USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
IPP04CN10NG Peso Contattaci
Numero parte di ricambio IPP04CN10NG-FT

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