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codice articolo del costruttore | IPP042N03LGHKSA1 |
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Numero di parte futuro | FT-IPP042N03LGHKSA1 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | OptiMOS™ |
IPP042N03LGHKSA1 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 70A (Tc) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 4.5V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 4.2 mOhm @ 30A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2.2V @ 250µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 38nC @ 10V |
Vgs (massimo) | ±20V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 3900pF @ 15V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 79W (Tc) |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto dispositivo fornitore | PG-TO220-3-1 |
Pacchetto / caso | TO-220-3 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IPP042N03LGHKSA1 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | IPP042N03LGHKSA1-FT |
BUZ30AHXKSA1
Infineon Technologies
IPP041N04NGXKSA1
Infineon Technologies
IPP100N10S305AKSA1
Infineon Technologies
IPP50R299CPXKSA1
Infineon Technologies
IPP200N25N3GXKSA1
Infineon Technologies
IPP60R190C6XKSA1
Infineon Technologies
IPP60R125C6XKSA1
Infineon Technologies
IPP040N06N3GXKSA1
Infineon Technologies
IPP50R380CEXKSA1
Infineon Technologies
IPP60R125CFD7XKSA1
Infineon Technologies
A1010B-2VQ80I
Microsemi Corporation
EPF10K30ATC144-1
Intel
XC3S500E-4PQ208I
Xilinx Inc.
AFS090-2FG256I
Microsemi Corporation
AGL1000V5-FGG256I
Microsemi Corporation
LCMXO3L-4300C-5BG324I
Lattice Semiconductor Corporation
EP2C20F484C6
Intel
10AX022E3F29I2LG
Intel
5CGXBC9A7U19C8N
Intel
EP4CE75F29C8
Intel