casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / IPN70R1K5CEATMA1

| codice articolo del costruttore | IPN70R1K5CEATMA1 |
|---|---|
| Numero di parte futuro | FT-IPN70R1K5CEATMA1 |
| SPQ / MOQ | Contattaci |
| Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
| serie | CoolMOS™ |
| IPN70R1K5CEATMA1 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
| Stato parte | Active |
| Tipo FET | N-Channel |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 700V |
| Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 5.4A (Tc) |
| Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 10V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.5 Ohm @ 1A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 3.5V @ 100µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 10.5nC @ 10V |
| Vgs (massimo) | ±20V |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 225pF @ 100V |
| Caratteristica FET | Super Junction |
| Dissipazione di potenza (max) | 5W (Tc) |
| temperatura di esercizio | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto dispositivo fornitore | PG-SOT223 |
| Pacchetto / caso | SOT-223-3 |
| Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
| IPN70R1K5CEATMA1 Peso | Contattaci |
| Numero parte di ricambio | IPN70R1K5CEATMA1-FT |

IRL7472L1TRPBF
Infineon Technologies

IPL60R085P7AUMA1
Infineon Technologies

IPL60R210P6AUMA1
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IPL60R065P7AUMA1
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IPL60R075CFD7AUMA1
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IPL60R104C7AUMA1
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IPL60R105P7AUMA1
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IPL60R125C7AUMA1
Infineon Technologies

IPL60R125P7AUMA1
Infineon Technologies

IPL60R180P6AUMA1
Infineon Technologies

EX64-TQ100I
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M2GL090T-FCSG325I
Microsemi Corporation

M1AFS600-2FG256I
Microsemi Corporation

5SGXMA7N2F40I3N
Intel

XCS05-3PC84C
Xilinx Inc.

XC2V4000-5FFG1152I
Xilinx Inc.

AGL600V5-FGG144
Microsemi Corporation

EP3SL150F780C4LN
Intel

EPF10K30RC240-4N
Intel

EP1S60F1020C5N
Intel