casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / IPN50R3K0CEATMA1
codice articolo del costruttore | IPN50R3K0CEATMA1 |
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Numero di parte futuro | FT-IPN50R3K0CEATMA1 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | CoolMOS™ CE |
IPN50R3K0CEATMA1 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 500V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 2.6A (Tc) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 13V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 3 Ohm @ 400mA, 13V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 3.5V @ 30µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 4.3nC @ 10V |
Vgs (massimo) | ±20V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 84pF @ 100V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 5W (Tc) |
temperatura di esercizio | -40°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto dispositivo fornitore | PG-SOT223 |
Pacchetto / caso | SOT-223-3 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IPN50R3K0CEATMA1 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | IPN50R3K0CEATMA1-FT |
IRFIZ46N
Infineon Technologies
IRFIZ48N
Infineon Technologies
IRLI2203N
Infineon Technologies
IRLI2505
Infineon Technologies
IRLI3803
Infineon Technologies
IRLI520N
Infineon Technologies
IRLI530N
Infineon Technologies
IRLI540N
Infineon Technologies
IRLIZ34N
Infineon Technologies
SPA11N80C3XKSA2
Infineon Technologies
EP1C6T144C6
Intel
LCMXO2-1200ZE-3TG144IR1
Lattice Semiconductor Corporation
A42MX09-FVQ100
Microsemi Corporation
EP4CE10E22C7N
Intel
XC5VLX30-1FF676I
Xilinx Inc.
AGL600V2-FG144
Microsemi Corporation
LCMXO2-7000HC-6BG256C
Lattice Semiconductor Corporation
LFXP2-8E-5MN132C
Lattice Semiconductor Corporation
5AGXMA1D4F31I3N
Intel
EP4CE55F29C6
Intel