casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / IPN50R3K0CEATMA1
codice articolo del costruttore | IPN50R3K0CEATMA1 |
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Numero di parte futuro | FT-IPN50R3K0CEATMA1 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | CoolMOS™ CE |
IPN50R3K0CEATMA1 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 500V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 2.6A (Tc) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 13V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 3 Ohm @ 400mA, 13V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 3.5V @ 30µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 4.3nC @ 10V |
Vgs (massimo) | ±20V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 84pF @ 100V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 5W (Tc) |
temperatura di esercizio | -40°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto dispositivo fornitore | PG-SOT223 |
Pacchetto / caso | SOT-223-3 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IPN50R3K0CEATMA1 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | IPN50R3K0CEATMA1-FT |
IRFIZ46N
Infineon Technologies
IRFIZ48N
Infineon Technologies
IRLI2203N
Infineon Technologies
IRLI2505
Infineon Technologies
IRLI3803
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IRLI520N
Infineon Technologies
IRLI530N
Infineon Technologies
IRLI540N
Infineon Technologies
IRLIZ34N
Infineon Technologies
SPA11N80C3XKSA2
Infineon Technologies
XCS20XL-4VQ100C
Xilinx Inc.
XC6SLX150-3FG484I
Xilinx Inc.
A42MX36-1PQG240
Microsemi Corporation
A3P1000-2FGG484I
Microsemi Corporation
XC4020E-4HQ208I
Xilinx Inc.
XC7VX690T-1FFG1930C
Xilinx Inc.
A42MX09-TQ176
Microsemi Corporation
M1A3P1000L-FGG144
Microsemi Corporation
ICE40UL1K-CM36AITR1K
Lattice Semiconductor Corporation
EP4SGX230HF35C2
Intel