casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / IPI65R110CFDXKSA1
codice articolo del costruttore | IPI65R110CFDXKSA1 |
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Numero di parte futuro | FT-IPI65R110CFDXKSA1 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | CoolMOS™ |
IPI65R110CFDXKSA1 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 650V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 31.2A (Tc) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 110 mOhm @ 12.7A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4.5V @ 1.3mA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 118nC @ 10V |
Vgs (massimo) | ±20V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 3240pF @ 100V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 277.8W (Tc) |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto dispositivo fornitore | PG-TO262-3 |
Pacchetto / caso | TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IPI65R110CFDXKSA1 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | IPI65R110CFDXKSA1-FT |
IPI60R125CPXKSA1
Infineon Technologies
IPI029N06NAKSA1
Infineon Technologies
IPI032N06N3GAKSA1
Infineon Technologies
IPI80N04S403AKSA1
Infineon Technologies
IPI045N10N3GXKSA1
Infineon Technologies
IPI075N15N3GXKSA1
Infineon Technologies
IPI100N06S3L04XK
Infineon Technologies
BUZ31H3046XKSA1
Infineon Technologies
IPI020N06NAKSA1
Infineon Technologies
IPI023NE7N3 G
Infineon Technologies
A54SX32A-TQG176M
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M1AFS250-FG256
Microsemi Corporation
APA600-FG676I
Microsemi Corporation
5SGSMD6K1F40C2LN
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EP4SE360H29I3
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5SGXEA7N3F45C2LN
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LFXP2-30E-6FT256I
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EPF10K10LC84-4N
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