casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / IPI60R299CPXKSA1
codice articolo del costruttore | IPI60R299CPXKSA1 |
---|---|
Numero di parte futuro | FT-IPI60R299CPXKSA1 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | CoolMOS™ |
IPI60R299CPXKSA1 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 600V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 11A (Tc) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 299 mOhm @ 6.6A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 3.5V @ 440µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 29nC @ 10V |
Vgs (massimo) | ±20V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 1100pF @ 100V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 96W (Tc) |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto dispositivo fornitore | PG-TO262-3 |
Pacchetto / caso | TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IPI60R299CPXKSA1 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | IPI60R299CPXKSA1-FT |
BSF134N10NJ3GXUMA1
Infineon Technologies
IPI024N06N3GXKSA1
Infineon Technologies
IPI040N06N3GXKSA1
Infineon Technologies
IPI086N10N3GXKSA1
Infineon Technologies
IPI90N04S402AKSA1
Infineon Technologies
IPI60R125CPXKSA1
Infineon Technologies
IPI029N06NAKSA1
Infineon Technologies
IPI032N06N3GAKSA1
Infineon Technologies
IPI80N04S403AKSA1
Infineon Technologies
IPI045N10N3GXKSA1
Infineon Technologies
A1010B-2VQ80I
Microsemi Corporation
EPF10K30ATC144-1
Intel
XC3S500E-4PQ208I
Xilinx Inc.
AFS090-2FG256I
Microsemi Corporation
AGL1000V5-FGG256I
Microsemi Corporation
LCMXO3L-4300C-5BG324I
Lattice Semiconductor Corporation
EP2C20F484C6
Intel
10AX022E3F29I2LG
Intel
5CGXBC9A7U19C8N
Intel
EP4CE75F29C8
Intel