casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / IPL65R165CFDAUMA2
codice articolo del costruttore | IPL65R165CFDAUMA2 |
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Numero di parte futuro | FT-IPL65R165CFDAUMA2 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | * |
IPL65R165CFDAUMA2 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo FET | - |
Tecnologia | - |
Drain to Source Voltage (Vdss) | - |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | - |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | - |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | - |
Vgs (th) (Max) @ Id | - |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | - |
Vgs (massimo) | - |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | - |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | - |
temperatura di esercizio | - |
Tipo di montaggio | - |
Pacchetto dispositivo fornitore | - |
Pacchetto / caso | - |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IPL65R165CFDAUMA2 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | IPL65R165CFDAUMA2-FT |
IPC60R125C6X1SA1
Infineon Technologies
IPC60R125CPX1SA4
Infineon Technologies
IPC60R160C6UNSAWNX6SA1
Infineon Technologies
IPC60R160C6X1SA1
Infineon Technologies
IPC60R165CPX1SA4
Infineon Technologies
IPC60R190E6UNSAWNX6SA1
Infineon Technologies
IPC60R190E6X1SA1
Infineon Technologies
IPC60R190E6X7SA1
Infineon Technologies
IPC60R190P6X7SA1
Infineon Technologies
IPC60R199CPX1SA1
Infineon Technologies
XC2S200-5FGG456I
Xilinx Inc.
AX1000-2FGG484
Microsemi Corporation
LCMXO640E-5FTN256C
Lattice Semiconductor Corporation
EP1S20F672I7
Intel
XC7VX980T-1FFG1930C
Xilinx Inc.
A42MX16-PQG160I
Microsemi Corporation
LFE2-50E-6F484I
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO3L-2100C-5BG256I
Lattice Semiconductor Corporation
LFE3-35EA-7FN672I
Lattice Semiconductor Corporation
10AX057K4F40I3SG
Intel