casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / IPC60R125C6X1SA1
codice articolo del costruttore | IPC60R125C6X1SA1 |
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Numero di parte futuro | FT-IPC60R125C6X1SA1 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | * |
IPC60R125C6X1SA1 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Not For New Designs |
Tipo FET | - |
Tecnologia | - |
Drain to Source Voltage (Vdss) | - |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | - |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | - |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | - |
Vgs (th) (Max) @ Id | - |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | - |
Vgs (massimo) | - |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | - |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | - |
temperatura di esercizio | - |
Tipo di montaggio | - |
Pacchetto dispositivo fornitore | - |
Pacchetto / caso | - |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IPC60R125C6X1SA1 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | IPC60R125C6X1SA1-FT |
HAT1047RWS-E
Renesas Electronics America
HAT1069C-EL-E
Renesas Electronics America
HAT1127HWS-E
Renesas Electronics America
HAT2165HWS-E
Renesas Electronics America
HAT2166HWS-E
Renesas Electronics America
HAT2168HWS-E
Renesas Electronics America
HAT2170HWS-E
Renesas Electronics America
HAT2173HWS-E
Renesas Electronics America
HAT2185WPWS-E
Renesas Electronics America
HAT2256RWS-E
Renesas Electronics America
XCVU095-2FFVD1517I
Xilinx Inc.
AGL1000V2-FG256T
Microsemi Corporation
A42MX24-2PQ208I
Microsemi Corporation
ICE5LP4K-SWG36ITR
Lattice Semiconductor Corporation
A42MX09-1VQ100
Microsemi Corporation
10CL016YU256I7G
Intel
EP3C10F256I7
Intel
LCMXO2-7000HE-6FTG256C
Lattice Semiconductor Corporation
10AX066K1F35E1SG
Intel
EP2AGX65CU17C4
Intel