casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / IPC60R160C6UNSAWNX6SA1
codice articolo del costruttore | IPC60R160C6UNSAWNX6SA1 |
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Numero di parte futuro | FT-IPC60R160C6UNSAWNX6SA1 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
IPC60R160C6UNSAWNX6SA1 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Tipo FET | - |
Tecnologia | - |
Drain to Source Voltage (Vdss) | - |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | - |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | - |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | - |
Vgs (th) (Max) @ Id | - |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | - |
Vgs (massimo) | - |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | - |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | - |
temperatura di esercizio | - |
Tipo di montaggio | - |
Pacchetto dispositivo fornitore | - |
Pacchetto / caso | - |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IPC60R160C6UNSAWNX6SA1 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | IPC60R160C6UNSAWNX6SA1-FT |
HAT1127HWS-E
Renesas Electronics America
HAT2165HWS-E
Renesas Electronics America
HAT2166HWS-E
Renesas Electronics America
HAT2168HWS-E
Renesas Electronics America
HAT2170HWS-E
Renesas Electronics America
HAT2173HWS-E
Renesas Electronics America
HAT2185WPWS-E
Renesas Electronics America
HAT2256RWS-E
Renesas Electronics America
HAT2261H-EL-E
Renesas Electronics America
HAT2266HWS-E
Renesas Electronics America
XA3S500E-4FTG256I
Xilinx Inc.
XA6SLX25T-3FGG484Q
Xilinx Inc.
A54SX32A-FGG484
Microsemi Corporation
APA300-BGG456M
Microsemi Corporation
A54SX16A-FGG256I
Microsemi Corporation
AT40K20-2AQC
Microchip Technology
EP2S30F672C4
Intel
10M40DCF672C7G
Intel
A42MX16-3PQ100
Microsemi Corporation
EP4CGX22CF19C6N
Intel