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codice articolo del costruttore | BSC059N04LSGATMA1 |
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Numero di parte futuro | FT-BSC059N04LSGATMA1 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | OptiMOS™ |
BSC059N04LSGATMA1 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 40V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 16A (Ta), 73A (Tc) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 4.5V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 5.9 mOhm @ 50A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2V @ 23µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 40nC @ 10V |
Vgs (massimo) | ±20V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 3200pF @ 20V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 2.5W (Ta), 50W (Tc) |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto dispositivo fornitore | PG-TDSON-8 |
Pacchetto / caso | 8-PowerTDFN |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BSC059N04LSGATMA1 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | BSC059N04LSGATMA1-FT |
BSC0901NSATMA1
Infineon Technologies
BSC0906NSATMA1
Infineon Technologies
BSC090N03LSGATMA1
Infineon Technologies
BSC097N06NSATMA1
Infineon Technologies
BSC120N03LSGATMA1
Infineon Technologies
BSC130P03LSGAUMA1
Infineon Technologies
BSC160N15NS5ATMA1
Infineon Technologies
BSC882N03LSGATMA1
Infineon Technologies
BSC900N20NS3GATMA1
Infineon Technologies
BSZ075N08NS5ATMA1
Infineon Technologies
XC3S1600E-5FGG320C
Xilinx Inc.
XC3S250E-4VQ100I
Xilinx Inc.
M1AGL600V5-FG484I
Microsemi Corporation
LCMXO3LF-6900C-6BG400C
Lattice Semiconductor Corporation
EP4CGX50CF23C7
Intel
5SGXEA3K1F40C2L
Intel
5SGXMA3K2F40C2LN
Intel
5SGXEB6R3F43C2LN
Intel
XC6VLX195T-3FFG784C
Xilinx Inc.
5CGXFC4C7U19C8N
Intel