casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / IPI70N12S3L12AKSA1
codice articolo del costruttore | IPI70N12S3L12AKSA1 |
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Numero di parte futuro | FT-IPI70N12S3L12AKSA1 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | * |
IPI70N12S3L12AKSA1 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo FET | - |
Tecnologia | - |
Drain to Source Voltage (Vdss) | - |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | - |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | - |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | - |
Vgs (th) (Max) @ Id | - |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | - |
Vgs (massimo) | - |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | - |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | - |
temperatura di esercizio | - |
Tipo di montaggio | - |
Pacchetto dispositivo fornitore | - |
Pacchetto / caso | - |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IPI70N12S3L12AKSA1 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | IPI70N12S3L12AKSA1-FT |
IPC60R075CPX1SA1
Infineon Technologies
IPC60R099C6UNSAWNX6SA1
Infineon Technologies
IPC60R099C6X1SA1
Infineon Technologies
IPC60R099CPX1SA2
Infineon Technologies
IPC60R125C6UNSAWNX6SA1
Infineon Technologies
IPC60R125C6X1SA1
Infineon Technologies
IPC60R125CPX1SA4
Infineon Technologies
IPC60R160C6UNSAWNX6SA1
Infineon Technologies
IPC60R160C6X1SA1
Infineon Technologies
IPC60R165CPX1SA4
Infineon Technologies
XC3S200-4FTG256I
Xilinx Inc.
XC4020XL-1PQ208C
Xilinx Inc.
M1AFS250-FG256
Microsemi Corporation
10M40DCF256C7G
Intel
5SGSED8K2F40I2N
Intel
XC2V2000-5FF896I
Xilinx Inc.
M2GL060T-FGG676
Microsemi Corporation
A40MX04-PQG100M
Microsemi Corporation
LFEC15E-5F484C
Lattice Semiconductor Corporation
EP1SGX40GF1020I6
Intel