casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / IPI100N06S3L04XK
codice articolo del costruttore | IPI100N06S3L04XK |
---|---|
Numero di parte futuro | FT-IPI100N06S3L04XK |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | OptiMOS™ |
IPI100N06S3L04XK Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 55V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 100A (Tc) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 5V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 3.8 mOhm @ 80A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2.2V @ 150µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 362nC @ 10V |
Vgs (massimo) | ±16V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 17270pF @ 25V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 214W (Tc) |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto dispositivo fornitore | PG-TO262-3 |
Pacchetto / caso | TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IPI100N06S3L04XK Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | IPI100N06S3L04XK-FT |
IPW65R095C7XKSA1
Infineon Technologies
IPW65R041CFDFKSA1
Infineon Technologies
IPW90R800C3FKSA1
Infineon Technologies
IPW60R125CPFKSA1
Infineon Technologies
IPW60R165CPFKSA1
Infineon Technologies
IPW50R190CEFKSA1
Infineon Technologies
IPW50R199CPFKSA1
Infineon Technologies
IPW50R250CPFKSA1
Infineon Technologies
IPW50R280CEFKSA1
Infineon Technologies
IPW50R299CPFKSA1
Infineon Technologies
LCMXO1200E-5T144C
Lattice Semiconductor Corporation
A1020B-2PQ100C
Microsemi Corporation
XC6SLX9-2FT256I
Xilinx Inc.
A3PN125-1VQ100
Microsemi Corporation
EP2A15F672C7AA
Intel
EP3CLS70U484I7
Intel
5SGSED6K2F40C3N
Intel
EP4CE10E22C9L
Intel
LFE3-70E-8FN484I
Lattice Semiconductor Corporation
EP20K600EBC652-1X
Intel