casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / IPI030N10N3GXKSA1
codice articolo del costruttore | IPI030N10N3GXKSA1 |
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Numero di parte futuro | FT-IPI030N10N3GXKSA1 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | OptiMOS™ |
IPI030N10N3GXKSA1 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 100V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 100A (Tc) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 6V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 3 mOhm @ 100A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 3.5V @ 275µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 206nC @ 10V |
Vgs (massimo) | ±20V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 14800pF @ 50V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 300W (Tc) |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto dispositivo fornitore | PG-TO262-3 |
Pacchetto / caso | TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IPI030N10N3GXKSA1 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | IPI030N10N3GXKSA1-FT |
IPW50R250CPFKSA1
Infineon Technologies
IPW50R280CEFKSA1
Infineon Technologies
IPW50R299CPFKSA1
Infineon Technologies
IPW50R350CPFKSA1
Infineon Technologies
IPW50R399CPFKSA1
Infineon Technologies
IPW60R041C6FKSA1
Infineon Technologies
IPW60R045CPFKSA1
Infineon Technologies
IPW60R060P7XKSA1
Infineon Technologies
IPW60R070C6FKSA1
Infineon Technologies
IPW60R075CPFKSA1
Infineon Technologies
XC7A100T-2FTG256I
Xilinx Inc.
APA450-FGG484A
Microsemi Corporation
10AX032E4F27I3SG
Intel
XC6VHX380T-2FFG1154C
Xilinx Inc.
XC7K325T-L2FBG900I
Xilinx Inc.
LFXP3C-5Q208C
Lattice Semiconductor Corporation
LFXP2-5E-6MN132I
Lattice Semiconductor Corporation
10AX066N4F40I3LG
Intel
EP1AGX35DF780C6
Intel
EP1S40F1020C5N
Intel