casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / IPI80N04S403AKSA1
codice articolo del costruttore | IPI80N04S403AKSA1 |
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Numero di parte futuro | FT-IPI80N04S403AKSA1 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | OptiMOS™ |
IPI80N04S403AKSA1 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 40V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 80A (Tc) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 3.7 mOhm @ 80A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 53µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 66nC @ 10V |
Vgs (massimo) | ±20V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 5260pF @ 25V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 94W (Tc) |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto dispositivo fornitore | PG-TO262-3 |
Pacchetto / caso | TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IPI80N04S403AKSA1 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | IPI80N04S403AKSA1-FT |
IPW50R140CPFKSA1
Infineon Technologies
IPW65R099C6FKSA1
Infineon Technologies
SPW16N50C3FKSA1
Infineon Technologies
IPW65R095C7XKSA1
Infineon Technologies
IPW65R041CFDFKSA1
Infineon Technologies
IPW90R800C3FKSA1
Infineon Technologies
IPW60R125CPFKSA1
Infineon Technologies
IPW60R165CPFKSA1
Infineon Technologies
IPW50R190CEFKSA1
Infineon Technologies
IPW50R199CPFKSA1
Infineon Technologies
EX128-TQ100
Microsemi Corporation
XC3S50A-4VQG100I
Xilinx Inc.
A54SX32A-1CQ256
Microsemi Corporation
A3P1000-PQ208
Microsemi Corporation
A42MX16-VQG100M
Microsemi Corporation
EP1SGX10CF672C7N
Intel
10AX016C3U19I2LG
Intel
10CL025ZE144I8G
Intel
5SGXEA7H3F35I4
Intel
EP3SE50F780I3
Intel