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Infineon Technologies IPI086N10N3GXKSA1

Name: IPI086N10N3GXKSA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: IPI086N10N3GXKSA1
Price: 1.408 USD
Availability: InStock
Rating: 4.6 (769 reviews)

Numero parte MFG: IPI086N10N3GXKSA1

quantità disponibile: 84080 pezzi

Prezzo di riferimento: USD 1.408

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Data di spedizione: Oggi possiamo spedire

fabbricante: Infineon Technologies

Breve descrizione: OptiMOS™ MOSFET N-CH 100V 80A TO262-3

Stato senza piombo / Stato RoHS: Conformità RoHS (senza piombo)

Livello di sensibilità all'umidità (MSL): 1 (illimitato)

Codice data (D / C): Nuovo

categoria di prodotto: Transistor - FET, MOSFETs - Single

Risorsa stock: Distributore in franchising

Garanzia: 360 giorni di garanzia di qualità

scheda dati: IPI086N10N3GXKSA1.pdf

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IPI086N10N3GXKSA1 specificazioni

codice articolo del costruttore	IPI086N10N3GXKSA1
Numero di parte futuro	FT-IPI086N10N3GXKSA1
SPQ / MOQ	Contattaci
Materiale di imballaggio	Reel/Tray/Tube/Others
serie	OptiMOS™
IPI086N10N3GXKSA1 Stato (ciclo di vita)	Disponibile
Stato parte	Active
Tipo FET	N-Channel
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)	100V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C	80A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo)	6V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	8.6 mOhm @ 73A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	3.5V @ 75µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	55nC @ 10V
Vgs (massimo)	±20V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	3980pF @ 50V
Caratteristica FET	-
Dissipazione di potenza (max)	125W (Tc)
temperatura di esercizio	-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo di montaggio	Through Hole
Pacchetto dispositivo fornitore	PG-TO262-3
Pacchetto / caso	TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Paese d'origine	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
IPI086N10N3GXKSA1 Peso	Contattaci
Numero parte di ricambio	IPI086N10N3GXKSA1-FT

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