casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / IPI072N10N3GXK
codice articolo del costruttore | IPI072N10N3GXK |
---|---|
Numero di parte futuro | FT-IPI072N10N3GXK |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | OptiMOS™ 3 |
IPI072N10N3GXK Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 100V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 80A (Tc) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 6V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 7.2 mOhm @ 80A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 3.5V @ 90µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 68nC @ 10V |
Vgs (massimo) | ±20V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 4910pF @ 50V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 150W (Tc) |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto dispositivo fornitore | PG-TO262-3 |
Pacchetto / caso | TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IPI072N10N3GXK Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | IPI072N10N3GXK-FT |
SPD03N60S5BTMA1
Infineon Technologies
SPD04N50C3BTMA1
Infineon Technologies
SPD04N50C3T
Infineon Technologies
SPD04N60C3BTMA1
Infineon Technologies
SPD04N60S5
Infineon Technologies
SPD04N60S5BTMA1
Infineon Technologies
SPD04N80C3BTMA1
Infineon Technologies
SPD04P10PGBTMA1
Infineon Technologies
SPD06N60C3ATMA1
Infineon Technologies
SPD06N60C3BTMA1
Infineon Technologies
EP1C6T144C6
Intel
LCMXO2-1200ZE-3TG144IR1
Lattice Semiconductor Corporation
A42MX09-FVQ100
Microsemi Corporation
EP4CE10E22C7N
Intel
XC5VLX30-1FF676I
Xilinx Inc.
AGL600V2-FG144
Microsemi Corporation
LCMXO2-7000HC-6BG256C
Lattice Semiconductor Corporation
LFXP2-8E-5MN132C
Lattice Semiconductor Corporation
5AGXMA1D4F31I3N
Intel
EP4CE55F29C6
Intel