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Infineon Technologies IPC60N04S4L06ATMA1

Numero parte MFG
IPC60N04S4L06ATMA1
quantità disponibile
89710 pezzi
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fabbricante
Infineon Technologies
Breve descrizione
Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™ MOSFET N-CH 8TDSON
Stato senza piombo / Stato RoHS
Conformità RoHS (senza piombo)
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
1 (illimitato)
Codice data (D / C)
Nuovo
categoria di prodotto
Transistor - FET, MOSFETs - Single
Risorsa stock
Distributore in franchising
Garanzia
360 giorni di garanzia di qualità
scheda dati
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IPC60N04S4L06ATMA1 specificazioni

codice articolo del costruttore IPC60N04S4L06ATMA1
Numero di parte futuro FT-IPC60N04S4L06ATMA1
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Materiale di imballaggio Reel/Tray/Tube/Others
serie Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™
IPC60N04S4L06ATMA1 Stato (ciclo di vita) Disponibile
Stato parte Obsolete
Tipo FET N-Channel
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) 40V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 60A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) 4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 5.6 mOhm @ 30A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 2.2V @ 30µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 43nC @ 10V
Vgs (massimo) ±16V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 3600pF @ 25V
Caratteristica FET -
Dissipazione di potenza (max) 63W (Tc)
temperatura di esercizio -55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo di montaggio Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore PG-TDSON-8-23
Pacchetto / caso 8-PowerVDFN
Paese d'origine USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
IPC60N04S4L06ATMA1 Peso Contattaci
Numero parte di ricambio IPC60N04S4L06ATMA1-FT

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