casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / IPC30S2SN08NX2MA1
codice articolo del costruttore | IPC30S2SN08NX2MA1 |
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Numero di parte futuro | FT-IPC30S2SN08NX2MA1 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | * |
IPC30S2SN08NX2MA1 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo FET | - |
Tecnologia | - |
Drain to Source Voltage (Vdss) | - |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | - |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | - |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | - |
Vgs (th) (Max) @ Id | - |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | - |
Vgs (massimo) | - |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | - |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | - |
temperatura di esercizio | - |
Tipo di montaggio | - |
Pacchetto dispositivo fornitore | - |
Pacchetto / caso | - |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IPC30S2SN08NX2MA1 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | IPC30S2SN08NX2MA1-FT |
FDZ4670
ON Semiconductor
FDZ4670S
ON Semiconductor
FDZ5047N
ON Semiconductor
FDZ7064AS
ON Semiconductor
FDZ7064N
ON Semiconductor
FKP253
Sanken
FMD80-0045PS
IXYS
FQ7N10
MICROSS/On Semiconductor
FQD5N50CTM-WS
ON Semiconductor
FQI11N40TU
ON Semiconductor
A3P1000L-FG484
Microsemi Corporation
M1A3P600L-FGG484
Microsemi Corporation
A54SX32A-CQ256B
Microsemi Corporation
5SEEBF45C3N
Intel
5SGXEABN2F45I2N
Intel
XC6SLX45-N3CSG324C
Xilinx Inc.
XC6SLX45T-N3CSG324C
Xilinx Inc.
LFE2M20SE-7F484C
Lattice Semiconductor Corporation
10AX090N4F40I3LG
Intel
EP2C20Q240C8N
Intel