casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / IPD50R280CEAUMA1
codice articolo del costruttore | IPD50R280CEAUMA1 |
---|---|
Numero di parte futuro | FT-IPD50R280CEAUMA1 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | CoolMOS™ |
IPD50R280CEAUMA1 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 550V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 18.1A (Tc) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 13V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 280 mOhm @ 4.2A, 13V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 3.5V @ 350µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 32.6nC @ 10V |
Vgs (massimo) | ±20V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 773pF @ 100V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 119W (Tc) |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto dispositivo fornitore | PG-TO252 |
Pacchetto / caso | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IPD50R280CEAUMA1 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | IPD50R280CEAUMA1-FT |
IPD053N08N3GBTMA1
Infineon Technologies
IPD05N03LA G
Infineon Technologies
IPD05N03LB G
Infineon Technologies
IPD060N03LGATMA1
Infineon Technologies
IPD060N03LGBTMA1
Infineon Technologies
IPD068N10N3GBTMA1
Infineon Technologies
IPD068P03L3GATMA1
Infineon Technologies
IPD068P03L3GBTMA1
Infineon Technologies
IPD06N03LA G
Infineon Technologies
IPD06N03LB G
Infineon Technologies
XC3164A-3TQ144C
Xilinx Inc.
XC7S100-2FGGA484I
Xilinx Inc.
M1A3P400-1FGG484
Microsemi Corporation
A3P1000-FGG256
Microsemi Corporation
5SGXMB6R2F40I2LN
Intel
EP4SGX360NF45C3N
Intel
XC7S50-2CSGA324C
Xilinx Inc.
5CGXFC9A6U19A7N
Intel
EP2AGX65CU17C4G
Intel
5AGXFB1H4F35C4N
Intel