casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / IPD50N06S4L08ATMA1
codice articolo del costruttore | IPD50N06S4L08ATMA1 |
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Numero di parte futuro | FT-IPD50N06S4L08ATMA1 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | OptiMOS™ |
IPD50N06S4L08ATMA1 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Discontinued at Future Semiconductor |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 60V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 50A (Tc) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 4.5V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 7.8 mOhm @ 50A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2.2V @ 35µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 64nC @ 10V |
Vgs (massimo) | ±16V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 4780pF @ 25V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 71W (Tc) |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto dispositivo fornitore | PG-TO252-3 |
Pacchetto / caso | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IPD50N06S4L08ATMA1 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | IPD50N06S4L08ATMA1-FT |
IPD042P03L3GBTMA1
Infineon Technologies
IPD048N06L3GBTMA1
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IPD04N03LA G
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IPD04N03LB G
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IPD050N03LGATMA1
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IPD050N03LGBTMA1
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IPD053N06N3GBTMA1
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IPD053N06NATMA1
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IPD053N08N3GBTMA1
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IPD05N03LA G
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