casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / IPD26N06S2L35ATMA2
codice articolo del costruttore | IPD26N06S2L35ATMA2 |
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Numero di parte futuro | FT-IPD26N06S2L35ATMA2 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | OptiMOS™ |
IPD26N06S2L35ATMA2 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 55V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 30A (Tc) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 4.5V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 35 mOhm @ 13A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2V @ 26µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 24nC @ 10V |
Vgs (massimo) | ±20V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 621pF @ 25V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 68W (Tc) |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto dispositivo fornitore | PG-TO252-3-11 |
Pacchetto / caso | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IPD26N06S2L35ATMA2 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | IPD26N06S2L35ATMA2-FT |
IRF40R207
Infineon Technologies
AUIRFR5305TRL
Infineon Technologies
IPD038N06N3GATMA1
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IPD068N10N3GATMA1
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IPD25CN10NGATMA1
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IPD30N03S4L14ATMA1
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IPD50N06S4L12ATMA2
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IPD60R1K5CEAUMA1
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XC6SLX150T-2CSG484I
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M2GL010-FGG484I
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A54SX32A-CQ256M
Microsemi Corporation
A3PN250-2VQ100
Microsemi Corporation
5SGXEA5K2F40I3L
Intel
5SGXMA9N2F45C2LN
Intel
XC7VX690T-1FF1157I
Xilinx Inc.
XC4VLX160-10FF1148C
Xilinx Inc.
XC2V8000-4FFG1152I
Xilinx Inc.
XC2V1500-5FF896I
Xilinx Inc.