casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / IPD25N06S4L30ATMA1
codice articolo del costruttore | IPD25N06S4L30ATMA1 |
---|---|
Numero di parte futuro | FT-IPD25N06S4L30ATMA1 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | OptiMOS™ |
IPD25N06S4L30ATMA1 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Discontinued at Future Semiconductor |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 60V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 25A (Tc) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 4.5V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 30 mOhm @ 25A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2.2V @ 8µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 16.3nC @ 10V |
Vgs (massimo) | ±16V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 1220pF @ 25V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 29W (Tc) |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto dispositivo fornitore | PG-TO252-3-11 |
Pacchetto / caso | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IPD25N06S4L30ATMA1 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | IPD25N06S4L30ATMA1-FT |
SPD04P10PLGBTMA1
Infineon Technologies
SPD08P06PGBTMA1
Infineon Technologies
IRF40R207
Infineon Technologies
AUIRFR5305TRL
Infineon Technologies
IPD038N06N3GATMA1
Infineon Technologies
IPD068N10N3GATMA1
Infineon Technologies
IPD25CN10NGATMA1
Infineon Technologies
IPD30N03S4L14ATMA1
Infineon Technologies
IPD30N06S4L23ATMA2
Infineon Technologies
IPD35N10S3L26ATMA1
Infineon Technologies
XA3S500E-4FTG256I
Xilinx Inc.
XA6SLX25T-3FGG484Q
Xilinx Inc.
A54SX32A-FGG484
Microsemi Corporation
APA300-BGG456M
Microsemi Corporation
A54SX16A-FGG256I
Microsemi Corporation
AT40K20-2AQC
Microchip Technology
EP2S30F672C4
Intel
10M40DCF672C7G
Intel
A42MX16-3PQ100
Microsemi Corporation
EP4CGX22CF19C6N
Intel