casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / IPD14N06S280ATMA2
codice articolo del costruttore | IPD14N06S280ATMA2 |
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Numero di parte futuro | FT-IPD14N06S280ATMA2 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | OptiMOS™ |
IPD14N06S280ATMA2 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 55V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 17A (Tc) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 80 mOhm @ 7A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 14µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 10nC @ 10V |
Vgs (massimo) | ±20V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 293pF @ 25V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 47W (Tc) |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto dispositivo fornitore | PG-TO252-3-11 |
Pacchetto / caso | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IPD14N06S280ATMA2 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | IPD14N06S280ATMA2-FT |
IPD034N06N3GATMA1
Infineon Technologies
IPD200N15N3GATMA1
Infineon Technologies
AUIRFR5410TRL
Infineon Technologies
IPD053N08N3GATMA1
Infineon Technologies
IPD80R2K8CEATMA1
Infineon Technologies
SPD04N60C3ATMA1
Infineon Technologies
IRFR7440TRPBF
Infineon Technologies
IPD135N03LGATMA1
Infineon Technologies
IPD135N08N3GATMA1
Infineon Technologies
IPD30N06S215ATMA2
Infineon Technologies
ICE40UP5K-SG48I
Lattice Semiconductor Corporation
XC3S250E-5PQ208C
Xilinx Inc.
XC2V1000-5FGG456I
Xilinx Inc.
10CL010ZU256I8G
Intel
5SGXMA7K2F40I3
Intel
A54SX32A-1TQ100I
Microsemi Corporation
APA075-FGG144
Microsemi Corporation
10AX066N2F40I2SGES
Intel
EPF10K50VBC356-2N
Intel
EPF10K50VBI356-4
Intel