casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / IPD14N06S280ATMA1
codice articolo del costruttore | IPD14N06S280ATMA1 |
---|---|
Numero di parte futuro | FT-IPD14N06S280ATMA1 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | OptiMOS™ |
IPD14N06S280ATMA1 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Discontinued at Future Semiconductor |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 55V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 17A (Tc) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 80 mOhm @ 7A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 14µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 10nC @ 10V |
Vgs (massimo) | ±20V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 293pF @ 25V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 47W (Tc) |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto dispositivo fornitore | PG-TO252-3 |
Pacchetto / caso | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IPD14N06S280ATMA1 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | IPD14N06S280ATMA1-FT |
IRLR9343TRPBF
Infineon Technologies
IPD034N06N3GATMA1
Infineon Technologies
IPD200N15N3GATMA1
Infineon Technologies
AUIRFR5410TRL
Infineon Technologies
IPD053N08N3GATMA1
Infineon Technologies
IPD80R2K8CEATMA1
Infineon Technologies
SPD04N60C3ATMA1
Infineon Technologies
IRFR7440TRPBF
Infineon Technologies
IPD135N03LGATMA1
Infineon Technologies
IPD135N08N3GATMA1
Infineon Technologies
M2GL025-1FG484I
Microsemi Corporation
APA600-BG456M
Microsemi Corporation
APA450-FG256
Microsemi Corporation
A3P400-1FG256
Microsemi Corporation
XC2V4000-4FFG1152I
Xilinx Inc.
LFE2M20E-6FN256I
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2-1200UHC-4FTG256I
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2-4000HC-6MG132C
Lattice Semiconductor Corporation
EP3SE110F780C4L
Intel
10CL080YF780C6G
Intel