casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / IPD105N04LGBTMA1
codice articolo del costruttore | IPD105N04LGBTMA1 |
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Numero di parte futuro | FT-IPD105N04LGBTMA1 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | OptiMOS™ |
IPD105N04LGBTMA1 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 40V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 40A (Tc) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 4.5V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 10.5 mOhm @ 40A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2V @ 14µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 23nC @ 10V |
Vgs (massimo) | ±20V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 1900pF @ 20V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 42W (Tc) |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto dispositivo fornitore | PG-TO252-3 |
Pacchetto / caso | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IPD105N04LGBTMA1 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | IPD105N04LGBTMA1-FT |
BTS244Z E3062A
Infineon Technologies
BTS244ZE3062AATMA2
Infineon Technologies
BTS247Z E3062A
Infineon Technologies
BTS247ZE3062AATMA2
Infineon Technologies
IPD30N03S4L09ATMA1
Infineon Technologies
IPD60R380C6ATMA1
Infineon Technologies
IPD088N06N3GBTMA1
Infineon Technologies
SPD09P06PLGBTMA1
Infineon Technologies
SPD06N80C3ATMA1
Infineon Technologies
SPD30P06PGBTMA1
Infineon Technologies
XCVU080-2FFVD1517E
Xilinx Inc.
AGL030V2-CSG81
Microsemi Corporation
MPF300T-1FCG484I
Microsemi Corporation
5SGXMA5N2F40C2LN
Intel
5SGXMA7N3F45I3LN
Intel
5SGXEB6R3F43C2L
Intel
XC2VP7-7FF672C
Xilinx Inc.
XC7A12T-1CPG238C
Xilinx Inc.
XC7S25-2CSGA324I
Xilinx Inc.
LFE2M50SE-6FN484I
Lattice Semiconductor Corporation