casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / IPD127N06LGBTMA1
codice articolo del costruttore | IPD127N06LGBTMA1 |
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Numero di parte futuro | FT-IPD127N06LGBTMA1 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | OptiMOS™ |
IPD127N06LGBTMA1 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Not For New Designs |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 60V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 50A (Tc) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 4.5V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 12.7 mOhm @ 50A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2V @ 80µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 69nC @ 10V |
Vgs (massimo) | ±20V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 2300pF @ 30V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 136W (Tc) |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto dispositivo fornitore | PG-TO252-3 |
Pacchetto / caso | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IPD127N06LGBTMA1 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | IPD127N06LGBTMA1-FT |
SPD09P06PLGBTMA1
Infineon Technologies
SPD06N80C3ATMA1
Infineon Technologies
SPD30P06PGBTMA1
Infineon Technologies
IPD031N06L3GATMA1
Infineon Technologies
IPD036N04LGBTMA1
Infineon Technologies
IPD079N06L3GBTMA1
Infineon Technologies
IPD25N06S4L30ATMA2
Infineon Technologies
IPD30N06S2L23ATMA3
Infineon Technologies
IPD30N08S2L21ATMA1
Infineon Technologies
IRLR9343TRPBF
Infineon Technologies
XCVU080-2FFVD1517E
Xilinx Inc.
AGL030V2-CSG81
Microsemi Corporation
MPF300T-1FCG484I
Microsemi Corporation
5SGXMA5N2F40C2LN
Intel
5SGXMA7N3F45I3LN
Intel
5SGXEB6R3F43C2L
Intel
XC2VP7-7FF672C
Xilinx Inc.
XC7A12T-1CPG238C
Xilinx Inc.
XC7S25-2CSGA324I
Xilinx Inc.
LFE2M50SE-6FN484I
Lattice Semiconductor Corporation