casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / IPD127N06LGBTMA1
codice articolo del costruttore | IPD127N06LGBTMA1 |
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Numero di parte futuro | FT-IPD127N06LGBTMA1 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | OptiMOS™ |
IPD127N06LGBTMA1 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Not For New Designs |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 60V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 50A (Tc) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 4.5V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 12.7 mOhm @ 50A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2V @ 80µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 69nC @ 10V |
Vgs (massimo) | ±20V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 2300pF @ 30V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 136W (Tc) |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto dispositivo fornitore | PG-TO252-3 |
Pacchetto / caso | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IPD127N06LGBTMA1 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | IPD127N06LGBTMA1-FT |
SPD09P06PLGBTMA1
Infineon Technologies
SPD06N80C3ATMA1
Infineon Technologies
SPD30P06PGBTMA1
Infineon Technologies
IPD031N06L3GATMA1
Infineon Technologies
IPD036N04LGBTMA1
Infineon Technologies
IPD079N06L3GBTMA1
Infineon Technologies
IPD25N06S4L30ATMA2
Infineon Technologies
IPD30N06S2L23ATMA3
Infineon Technologies
IPD30N08S2L21ATMA1
Infineon Technologies
IRLR9343TRPBF
Infineon Technologies
XC7A100T-2FTG256I
Xilinx Inc.
APA450-FGG484A
Microsemi Corporation
10AX032E4F27I3SG
Intel
XC6VHX380T-2FFG1154C
Xilinx Inc.
XC7K325T-L2FBG900I
Xilinx Inc.
LFXP3C-5Q208C
Lattice Semiconductor Corporation
LFXP2-5E-6MN132I
Lattice Semiconductor Corporation
10AX066N4F40I3LG
Intel
EP1AGX35DF780C6
Intel
EP1S40F1020C5N
Intel