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codice articolo del costruttore | IPD053N08N3GBTMA1 |
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Numero di parte futuro | FT-IPD053N08N3GBTMA1 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | OptiMOS™ |
IPD053N08N3GBTMA1 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 80V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 90A (Tc) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 6V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 5.3 mOhm @ 90A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 3.5V @ 90µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 69nC @ 10V |
Vgs (massimo) | ±20V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 4750pF @ 40V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 150W (Tc) |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto dispositivo fornitore | PG-TO252-3 |
Pacchetto / caso | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IPD053N08N3GBTMA1 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | IPD053N08N3GBTMA1-FT |
IRFH5215TRPBF
Infineon Technologies
IRFH5220TR2PBF
Infineon Technologies
IRFH5220TRPBF
Infineon Technologies
IRFH7110TR2PBF
Infineon Technologies
IRFH7110TRPBF
Infineon Technologies
IRFH7446TR2PBF
Infineon Technologies
IRFH8321TRPBF
Infineon Technologies
IRF7601TR
Infineon Technologies
IRF7604TR
Infineon Technologies
IRF7663TR
Infineon Technologies
A1020B-2VQ80I
Microsemi Corporation
XC7A50T-3FGG484E
Xilinx Inc.
5SGXMB6R2F40I2N
Intel
5SGSMD3E3H29C2N
Intel
EP2AGX125DF25I3N
Intel
XC5VLX110-3FFG1760C
Xilinx Inc.
LCMXO2-7000ZE-1FTG256C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2-4000HE-6MG132C
Lattice Semiconductor Corporation
5AGXBA7D4F31I5N
Intel
EP4SGX230HF35I4N
Intel