casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / IPD053N06N3GBTMA1
codice articolo del costruttore | IPD053N06N3GBTMA1 |
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Numero di parte futuro | FT-IPD053N06N3GBTMA1 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | OptiMOS™ |
IPD053N06N3GBTMA1 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 60V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 90A (Tc) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 5.3 mOhm @ 90A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 58µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 82nC @ 10V |
Vgs (massimo) | ±20V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 6600pF @ 30V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 115W (Tc) |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto dispositivo fornitore | PG-TO252-3 |
Pacchetto / caso | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IPD053N06N3GBTMA1 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | IPD053N06N3GBTMA1-FT |
IRFH5204TRPBF
Infineon Technologies
IRFH5215TR2PBF
Infineon Technologies
IRFH5215TRPBF
Infineon Technologies
IRFH5220TR2PBF
Infineon Technologies
IRFH5220TRPBF
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IRFH7110TR2PBF
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IRFH7110TRPBF
Infineon Technologies
IRFH7446TR2PBF
Infineon Technologies
IRFH8321TRPBF
Infineon Technologies
IRF7601TR
Infineon Technologies
EP20K100ETC144-1N
Intel
LFXP3C-3T100I
Lattice Semiconductor Corporation
XC2S100-5PQ208I
Xilinx Inc.
A3PE600-PQG208
Microsemi Corporation
10AX027E4F29I3SG
Intel
5SEE9H40C2LN
Intel
A40MX04-PL84I
Microsemi Corporation
ICE40UL1K-CM36AITR
Lattice Semiconductor Corporation
LFXP15C-3FN256I
Lattice Semiconductor Corporation
LFE3-95EA-6LFN672C
Lattice Semiconductor Corporation