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Infineon Technologies SPD09P06PLGBTMA1

Name: SPD09P06PLGBTMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: SPD09P06PLGBTMA1
Price: 0.287104 USD
Availability: InStock
Rating: 4.9 (191 reviews)

Numero parte MFG: SPD09P06PLGBTMA1

quantità disponibile: 45290 pezzi

Prezzo di riferimento: USD 0.287104

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fabbricante: Infineon Technologies

Breve descrizione: SIPMOS® MOSFET P-CH 60V 9.7A TO252-3

Stato senza piombo / Stato RoHS: Conformità RoHS (senza piombo)

Livello di sensibilità all'umidità (MSL): 1 (illimitato)

Codice data (D / C): Nuovo

categoria di prodotto: Transistor - FET, MOSFETs - Single

Risorsa stock: Distributore in franchising

Garanzia: 360 giorni di garanzia di qualità

scheda dati: SPD09P06PLGBTMA1.pdf

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SPD09P06PLGBTMA1 specificazioni

codice articolo del costruttore	SPD09P06PLGBTMA1
Numero di parte futuro	FT-SPD09P06PLGBTMA1
SPQ / MOQ	Contattaci
Materiale di imballaggio	Reel/Tray/Tube/Others
serie	SIPMOS®
SPD09P06PLGBTMA1 Stato (ciclo di vita)	Disponibile
Stato parte	Active
Tipo FET	P-Channel
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)	60V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C	9.7A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo)	4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	250 mOhm @ 6.8A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	2V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	21nC @ 10V
Vgs (massimo)	±20V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	450pF @ 25V
Caratteristica FET	-
Dissipazione di potenza (max)	42W (Tc)
temperatura di esercizio	-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo di montaggio	Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore	PG-TO252-3
Pacchetto / caso	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Paese d'origine	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
SPD09P06PLGBTMA1 Peso	Contattaci
Numero parte di ricambio	SPD09P06PLGBTMA1-FT

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