casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / IPD031N06L3GATMA1
codice articolo del costruttore | IPD031N06L3GATMA1 |
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Numero di parte futuro | FT-IPD031N06L3GATMA1 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | OptiMOS™ |
IPD031N06L3GATMA1 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 60V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 100A (Tc) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 4.5V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 3.1 mOhm @ 100A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2.2V @ 93µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 79nC @ 4.5V |
Vgs (massimo) | ±20V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 13000pF @ 30V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 167W (Tc) |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto dispositivo fornitore | PG-TO252-3 |
Pacchetto / caso | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IPD031N06L3GATMA1 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | IPD031N06L3GATMA1-FT |
IXTU1R4N60P
IXYS
IXTU2N80P
IXYS
IXTU44N10T
IXYS
IXTU50N085T
IXYS
IXTU55N075T
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IXYS
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IXYS
IXFP72N30X3M
IXYS
IXFP56N30X3M
IXYS
IXFP38N30X3M
IXYS
A3P060-1TQ144I
Microsemi Corporation
M2GL025T-1FCSG325I
Microsemi Corporation
M1A3P400-FG484
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LFE5UM-45F-8BG381C
Lattice Semiconductor Corporation
EPF10K130EFI484-2
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5SGXEA4K1F35C2N
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ICE40UL1K-CM36AI
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LFXP6C-5Q208C
Lattice Semiconductor Corporation
5AGXFB3H4F35C5N
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10AX016E3F27I1HG
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