casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / BTS247ZE3062AATMA2
codice articolo del costruttore | BTS247ZE3062AATMA2 |
---|---|
Numero di parte futuro | FT-BTS247ZE3062AATMA2 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | TEMPFET® |
BTS247ZE3062AATMA2 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 55V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 33A (Tc) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 4.5V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 18 mOhm @ 12A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2V @ 90µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 90nC @ 10V |
Vgs (massimo) | ±20V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 1730pF @ 25V |
Caratteristica FET | Temperature Sensing Diode |
Dissipazione di potenza (max) | 120W (Tc) |
temperatura di esercizio | -40°C ~ 175°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto dispositivo fornitore | PG-TO263-5-2 |
Pacchetto / caso | TO-263-5, D²Pak (4 Leads + Tab), TO-263BB |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BTS247ZE3062AATMA2 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | BTS247ZE3062AATMA2-FT |
IXTU02N50D
IXYS
IXTU01N80
IXYS
IXTU05N100
IXYS
IXTU05N120
IXYS
IXTU06N120P
IXYS
IXTU08N100P
IXYS
IXTU12N06T
IXYS
IXTU1R4N60P
IXYS
IXTU2N80P
IXYS
IXTU44N10T
IXYS
XCS20XL-4VQ100C
Xilinx Inc.
XC6SLX150-3FG484I
Xilinx Inc.
A42MX36-1PQG240
Microsemi Corporation
A3P1000-2FGG484I
Microsemi Corporation
XC4020E-4HQ208I
Xilinx Inc.
XC7VX690T-1FFG1930C
Xilinx Inc.
A42MX09-TQ176
Microsemi Corporation
M1A3P1000L-FGG144
Microsemi Corporation
ICE40UL1K-CM36AITR1K
Lattice Semiconductor Corporation
EP4SGX230HF35C2
Intel