casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / IXFP38N30X3M
codice articolo del costruttore | IXFP38N30X3M |
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Numero di parte futuro | FT-IXFP38N30X3M |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | HiPerFET™ |
IXFP38N30X3M Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 300V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 38A (Tc) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | - |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | - |
Vgs (th) (Max) @ Id | - |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 35nC @ 15V |
Vgs (massimo) | - |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 2440pF @ 15V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 34W (Tc) |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto dispositivo fornitore | TO-220 Isolated Tab |
Pacchetto / caso | TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IXFP38N30X3M Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | IXFP38N30X3M-FT |
IXTQ140N10P
IXYS
IXTQ150N15P
IXYS
IXTQ170N10P
IXYS
IXTQ18N60P
IXYS
IXTQ22N60P
IXYS
IXTQ26N60P
IXYS
IXTQ26P20P
IXYS
IXTQ30N50L
IXYS
IXTQ30N50L2
IXYS
IXTQ30N50P
IXYS
XA3S500E-4FTG256I
Xilinx Inc.
XA6SLX25T-3FGG484Q
Xilinx Inc.
A54SX32A-FGG484
Microsemi Corporation
APA300-BGG456M
Microsemi Corporation
A54SX16A-FGG256I
Microsemi Corporation
AT40K20-2AQC
Microchip Technology
EP2S30F672C4
Intel
10M40DCF672C7G
Intel
A42MX16-3PQ100
Microsemi Corporation
EP4CGX22CF19C6N
Intel