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IXYS IXTU1R4N60P

Name: IXTU1R4N60P
Brand: IXYS
SKU: IXTU1R4N60P
Availability: InStock
Rating: 4.6 (223 reviews)

Numero parte MFG: IXTU1R4N60P

quantità disponibile: 32680 pezzi

Prezzo di riferimento: USD 0

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fabbricante: IXYS

Breve descrizione: PolarHV™ MOSFET N-CH 600V 1.4A TO251

Stato senza piombo / Stato RoHS: Conformità RoHS (senza piombo)

Livello di sensibilità all'umidità (MSL): 1 (illimitato)

Codice data (D / C): Nuovo

categoria di prodotto: Transistor - FET, MOSFETs - Single

Risorsa stock: Distributore in franchising

Garanzia: 360 giorni di garanzia di qualità

scheda dati: IXTU1R4N60P.pdf

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IXTU1R4N60P specificazioni

codice articolo del costruttore	IXTU1R4N60P
Numero di parte futuro	FT-IXTU1R4N60P
SPQ / MOQ	Contattaci
Materiale di imballaggio	Reel/Tray/Tube/Others
serie	PolarHV™
IXTU1R4N60P Stato (ciclo di vita)	Disponibile
Stato parte	Obsolete
Tipo FET	N-Channel
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)	600V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C	1.4A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo)	10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	9 Ohm @ 700mA, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	5.5V @ 25µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	5.2nC @ 10V
Vgs (massimo)	±30V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	140pF @ 25V
Caratteristica FET	-
Dissipazione di potenza (max)	50W (Tc)
temperatura di esercizio	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio	Through Hole
Pacchetto dispositivo fornitore	TO-251
Pacchetto / caso	TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Paese d'origine	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
IXTU1R4N60P Peso	Contattaci
Numero parte di ricambio	IXTU1R4N60P-FT

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