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codice articolo del costruttore | IPB80N06S4L07ATMA1 |
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Numero di parte futuro | FT-IPB80N06S4L07ATMA1 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | OptiMOS™ |
IPB80N06S4L07ATMA1 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Discontinued at Future Semiconductor |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 60V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 80A (Tc) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 4.5V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 6.4 mOhm @ 80A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2.2V @ 40µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 75nC @ 10V |
Vgs (massimo) | ±16V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 5680pF @ 25V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 79W (Tc) |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto dispositivo fornitore | PG-TO263-3-2 |
Pacchetto / caso | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IPB80N06S4L07ATMA1 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | IPB80N06S4L07ATMA1-FT |
IPB60R190P6ATMA1
Infineon Technologies
IPB60R199CPAATMA1
Infineon Technologies
IPB60R199CPATMA1
Infineon Technologies
IPB60R230P6ATMA1
Infineon Technologies
IPB60R250CPATMA1
Infineon Technologies
IPB60R280C6ATMA1
Infineon Technologies
IPB60R280P6ATMA1
Infineon Technologies
IPB60R280P7ATMA1
Infineon Technologies
IPB60R299CPAATMA1
Infineon Technologies
IPB60R299CPATMA1
Infineon Technologies
XC3S400-5FTG256C
Xilinx Inc.
XC7A25T-1CSG325C
Xilinx Inc.
A3P1000L-1FG256
Microsemi Corporation
LCMXO3L-4300E-5UWG81CTR50
Lattice Semiconductor Corporation
5SGXEA3K1F35I2N
Intel
XC4020E-3HQ208I
Xilinx Inc.
XC7VX415T-2FFG1158I
Xilinx Inc.
XC7VX550T-1FFG1158C
Xilinx Inc.
XCKU5P-1SFVB784I
Xilinx Inc.
LFXP10C-5F256C
Lattice Semiconductor Corporation