casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / IPB60R299CPAATMA1
codice articolo del costruttore | IPB60R299CPAATMA1 |
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Numero di parte futuro | FT-IPB60R299CPAATMA1 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Automotive, AEC-Q101, CoolMOS™ |
IPB60R299CPAATMA1 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 600V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 11A (Tc) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 299 mOhm @ 6.6A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 3.5V @ 440µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 29nC @ 10V |
Vgs (massimo) | ±20V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 1100pF @ 100V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 96W (Tc) |
temperatura di esercizio | -40°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto dispositivo fornitore | PG-TO263-3 |
Pacchetto / caso | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IPB60R299CPAATMA1 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | IPB60R299CPAATMA1-FT |
IPB09N03LA
Infineon Technologies
IPB09N03LA G
Infineon Technologies
IPB09N03LAT
Infineon Technologies
IPB100N04S204ATMA1
Infineon Technologies
IPB100N04S2L03ATMA1
Infineon Technologies
IPB100N04S2L03ATMA2
Infineon Technologies
IPB100N06S205ATMA1
Infineon Technologies
IPB100N06S2L05ATMA1
Infineon Technologies
IPB100N06S2L05ATMA2
Infineon Technologies
IPB100N06S3-03
Infineon Technologies
A3P015-1QNG68
Microsemi Corporation
5SGXMA7N1F40C2N
Intel
5SGXEA7N1F45I2N
Intel
5SGXMB5R1F43C1N
Intel
EP4CGX15BF14I7N
Intel
XC6VLX195T-1FFG784I
Xilinx Inc.
XC2VP7-6FF672I
Xilinx Inc.
LFE3-150EA-6FN1156I
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2-4000HC-4FG484I
Lattice Semiconductor Corporation
EP4SGX70HF35I3N
Intel