casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / IPB80N06S2LH5ATMA4
codice articolo del costruttore | IPB80N06S2LH5ATMA4 |
---|---|
Numero di parte futuro | FT-IPB80N06S2LH5ATMA4 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | OptiMOS™ |
IPB80N06S2LH5ATMA4 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 55V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 80A (Tc) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 4.5V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 4.7 mOhm @ 80A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2V @ 250µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 190nC @ 10V |
Vgs (massimo) | ±20V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 5000pF @ 25V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 300W (Tc) |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto dispositivo fornitore | PG-TO263-3-2 |
Pacchetto / caso | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IPB80N06S2LH5ATMA4 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | IPB80N06S2LH5ATMA4-FT |
IPB60R060P7ATMA1
Infineon Technologies
IPB60R080P7ATMA1
Infineon Technologies
IPB60R099CPAATMA1
Infineon Technologies
IPB60R099CPATMA1
Infineon Technologies
IPB60R099P7ATMA1
Infineon Technologies
IPB60R120P7ATMA1
Infineon Technologies
IPB60R125CPATMA1
Infineon Technologies
IPB60R160C6ATMA1
Infineon Technologies
IPB60R160P6ATMA1
Infineon Technologies
IPB60R180P7ATMA1
Infineon Technologies
EX128-TQ100
Microsemi Corporation
XC3S50A-4VQG100I
Xilinx Inc.
A54SX32A-1CQ256
Microsemi Corporation
A3P1000-PQ208
Microsemi Corporation
A42MX16-VQG100M
Microsemi Corporation
EP1SGX10CF672C7N
Intel
10AX016C3U19I2LG
Intel
10CL025ZE144I8G
Intel
5SGXEA7H3F35I4
Intel
EP3SE50F780I3
Intel