casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / IPB45N06S3L-13
codice articolo del costruttore | IPB45N06S3L-13 |
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Numero di parte futuro | FT-IPB45N06S3L-13 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | OptiMOS™ |
IPB45N06S3L-13 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 55V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 45A (Tc) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 5V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 13.1 mOhm @ 26A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2.2V @ 30µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 75nC @ 10V |
Vgs (massimo) | ±16V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 3600pF @ 25V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 65W (Tc) |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto dispositivo fornitore | PG-TO263-3-2 |
Pacchetto / caso | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IPB45N06S3L-13 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | IPB45N06S3L-13-FT |
IPB04N03LB G
Infineon Technologies
IPB050N06NGATMA1
Infineon Technologies
IPB052N04NGATMA1
Infineon Technologies
IPB055N03LGATMA1
Infineon Technologies
IPB057N06NATMA1
Infineon Technologies
IPB05CN10N G
Infineon Technologies
IPB05N03LA
Infineon Technologies
IPB05N03LA G
Infineon Technologies
IPB05N03LAT
Infineon Technologies
IPB05N03LB
Infineon Technologies
M2GL025-1FG484I
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APA600-BG456M
Microsemi Corporation
APA450-FG256
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A3P400-1FG256
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XC2V4000-4FFG1152I
Xilinx Inc.
LFE2M20E-6FN256I
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LCMXO2-1200UHC-4FTG256I
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EP3SE110F780C4L
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