casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / IPB407N30NATMA1
codice articolo del costruttore | IPB407N30NATMA1 |
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Numero di parte futuro | FT-IPB407N30NATMA1 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | OptiMOS™ |
IPB407N30NATMA1 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 300V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 44A (Tc) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 40.7 mOhm @ 44A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 270µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 87nC @ 10V |
Vgs (massimo) | ±20V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 7180pF @ 100V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 300W (Tc) |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto dispositivo fornitore | D²PAK (TO-263AB) |
Pacchetto / caso | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IPB407N30NATMA1 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | IPB407N30NATMA1-FT |
IPB04N03LA G
Infineon Technologies
IPB04N03LAT
Infineon Technologies
IPB04N03LB
Infineon Technologies
IPB04N03LB G
Infineon Technologies
IPB050N06NGATMA1
Infineon Technologies
IPB052N04NGATMA1
Infineon Technologies
IPB055N03LGATMA1
Infineon Technologies
IPB057N06NATMA1
Infineon Technologies
IPB05CN10N G
Infineon Technologies
IPB05N03LA
Infineon Technologies
XCVU095-2FFVD1517I
Xilinx Inc.
AGL1000V2-FG256T
Microsemi Corporation
A42MX24-2PQ208I
Microsemi Corporation
ICE5LP4K-SWG36ITR
Lattice Semiconductor Corporation
A42MX09-1VQ100
Microsemi Corporation
10CL016YU256I7G
Intel
EP3C10F256I7
Intel
LCMXO2-7000HE-6FTG256C
Lattice Semiconductor Corporation
10AX066K1F35E1SG
Intel
EP2AGX65CU17C4
Intel