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codice articolo del costruttore | IPB22N03S4L15ATMA1 |
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Numero di parte futuro | FT-IPB22N03S4L15ATMA1 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | OptiMOS™ |
IPB22N03S4L15ATMA1 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 22A (Tc) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 4.5V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 14.6 mOhm @ 22A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2.2V @ 10µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 14nC @ 10V |
Vgs (massimo) | ±16V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 980pF @ 25V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 31W (Tc) |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto dispositivo fornitore | PG-TO263-3-2 |
Pacchetto / caso | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IPB22N03S4L15ATMA1 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | IPB22N03S4L15ATMA1-FT |
IPB03N03LB G
Infineon Technologies
IPB041N04NGATMA1
Infineon Technologies
IPB042N10N3GE8187ATMA1
Infineon Technologies
IPB048N06LGATMA1
Infineon Technologies
IPB048N15N5ATMA1
Infineon Technologies
IPB048N15N5LFATMA1
Infineon Technologies
IPB049N06L3GATMA1
Infineon Technologies
IPB049N08N5ATMA1
Infineon Technologies
IPB04N03LA
Infineon Technologies
IPB04N03LA G
Infineon Technologies
LFXP3C-3TN100C
Lattice Semiconductor Corporation
XC2V4000-5FF1517I
Xilinx Inc.
A54SX72A-FGG256
Microsemi Corporation
M2GL025TS-VFG256
Microsemi Corporation
EP4CGX30CF23I7
Intel
5SGSED8N3F45I3LN
Intel
5SGXEB5R1F43I2N
Intel
AGL1000V5-FGG144I
Microsemi Corporation
LFE2M70SE-6FN900I
Lattice Semiconductor Corporation
EP4SGX70HF35C2G
Intel