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codice articolo del costruttore | IPB230N06L3GATMA1 |
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Numero di parte futuro | FT-IPB230N06L3GATMA1 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | OptiMOS™ |
IPB230N06L3GATMA1 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 60V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 30A (Tc) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 4.5V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 23 mOhm @ 30A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2.2V @ 11µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 10nC @ 4.5V |
Vgs (massimo) | ±20V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 1600pF @ 30V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 36W (Tc) |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto dispositivo fornitore | D²PAK (TO-263AB) |
Pacchetto / caso | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IPB230N06L3GATMA1 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | IPB230N06L3GATMA1-FT |
IPB041N04NGATMA1
Infineon Technologies
IPB042N10N3GE8187ATMA1
Infineon Technologies
IPB048N06LGATMA1
Infineon Technologies
IPB048N15N5ATMA1
Infineon Technologies
IPB048N15N5LFATMA1
Infineon Technologies
IPB049N06L3GATMA1
Infineon Technologies
IPB049N08N5ATMA1
Infineon Technologies
IPB04N03LA
Infineon Technologies
IPB04N03LA G
Infineon Technologies
IPB04N03LAT
Infineon Technologies
LFXP6E-4T144I
Lattice Semiconductor Corporation
XC6SLX16-N3FTG256C
Xilinx Inc.
AGLE3000V5-FG484
Microsemi Corporation
M1A3P250-1PQG208I
Microsemi Corporation
EP3C80F484C7N
Intel
10M50SCE144C8G
Intel
LCMXO2-7000HC-4BG256I
Lattice Semiconductor Corporation
EP1S80F1508C6
Intel
EPF8282ALC84-4
Intel
EPF10K130EQC240-3N
Intel