casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / IPB65R190CFDATMA1
codice articolo del costruttore | IPB65R190CFDATMA1 |
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Numero di parte futuro | FT-IPB65R190CFDATMA1 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | CoolMOS™ |
IPB65R190CFDATMA1 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 650V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 17.5A (Tc) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 190 mOhm @ 7.3A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4.5V @ 730µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 68nC @ 10V |
Vgs (massimo) | ±20V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 1850pF @ 100V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 151W (Tc) |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto dispositivo fornitore | D²PAK (TO-263AB) |
Pacchetto / caso | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IPB65R190CFDATMA1 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | IPB65R190CFDATMA1-FT |
IPB120N06S402ATMA1
Infineon Technologies
IPB120N06S402ATMA2
Infineon Technologies
IPB120N06S403ATMA1
Infineon Technologies
IPB120N06S403ATMA2
Infineon Technologies
IPB120N06S4H1ATMA1
Infineon Technologies
IPB120N06S4H1ATMA2
Infineon Technologies
IPB120N08S403ATMA1
Infineon Technologies
IPB120N08S404ATMA1
Infineon Technologies
IPB120N10S403ATMA1
Infineon Technologies
IPB120N10S405ATMA1
Infineon Technologies
XCS20XL-4VQ100C
Xilinx Inc.
XC6SLX150-3FG484I
Xilinx Inc.
A42MX36-1PQG240
Microsemi Corporation
A3P1000-2FGG484I
Microsemi Corporation
XC4020E-4HQ208I
Xilinx Inc.
XC7VX690T-1FFG1930C
Xilinx Inc.
A42MX09-TQ176
Microsemi Corporation
M1A3P1000L-FGG144
Microsemi Corporation
ICE40UL1K-CM36AITR1K
Lattice Semiconductor Corporation
EP4SGX230HF35C2
Intel