casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / IPB65R190CFDATMA1
codice articolo del costruttore | IPB65R190CFDATMA1 |
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Numero di parte futuro | FT-IPB65R190CFDATMA1 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | CoolMOS™ |
IPB65R190CFDATMA1 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 650V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 17.5A (Tc) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 190 mOhm @ 7.3A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4.5V @ 730µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 68nC @ 10V |
Vgs (massimo) | ±20V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 1850pF @ 100V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 151W (Tc) |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto dispositivo fornitore | D²PAK (TO-263AB) |
Pacchetto / caso | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IPB65R190CFDATMA1 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | IPB65R190CFDATMA1-FT |
IPB120N06S402ATMA1
Infineon Technologies
IPB120N06S402ATMA2
Infineon Technologies
IPB120N06S403ATMA1
Infineon Technologies
IPB120N06S403ATMA2
Infineon Technologies
IPB120N06S4H1ATMA1
Infineon Technologies
IPB120N06S4H1ATMA2
Infineon Technologies
IPB120N08S403ATMA1
Infineon Technologies
IPB120N08S404ATMA1
Infineon Technologies
IPB120N10S403ATMA1
Infineon Technologies
IPB120N10S405ATMA1
Infineon Technologies
XC6SLX150T-2CSG484I
Xilinx Inc.
M2GL010-FGG484I
Microsemi Corporation
A54SX32A-CQ256M
Microsemi Corporation
A3PN250-2VQ100
Microsemi Corporation
5SGXEA5K2F40I3L
Intel
5SGXMA9N2F45C2LN
Intel
XC7VX690T-1FF1157I
Xilinx Inc.
XC4VLX160-10FF1148C
Xilinx Inc.
XC2V8000-4FFG1152I
Xilinx Inc.
XC2V1500-5FF896I
Xilinx Inc.